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产品分类
您的当前位置：深圳市中芯达智能科技有限公司 > 元器件产品
询价产品信息
产品属性
 类型
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选择
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类别
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分立半导体产品
晶体管- FET，MOSFET - 单个
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制造商
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Infineon Technologies
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系列
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HEXFET®
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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60 V
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25°C 时电流- 连续漏极(Id)
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120A（Tc）
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驱动电压
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10V
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不同Id、Vgs 时导通电阻
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3 毫欧@ 75A，10V
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不同Id 时Vgs(th)
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4V @ 150μA
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不同Vgs 时栅极电荷 (Qg)
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170 nC @ 10 V
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Vgs
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±20V
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不同Vds 时输入电容(Ciss)
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6540 pF @ 50 V
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FET 功能
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-
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功率耗散
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300W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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通孔
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供应商器件封装
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TO-220AB
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封装/外壳
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TO-220-3
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基本产品编号001
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